分子内のイオン位置を電場で切り替え、記録する材料を開発する
分子内のイオン位置で分極を保持・切り替える単分子誘電体（SME）を開発し、メモリやコンデンサなどの材料・デバイス応用を目指す技術。
株式会社マテリアルゲート 広島大学発 ／ 広島県 東広島市 ／ 2023年設立
研究発の技術 単分子誘電体 ポリオキソメタレート 分子材料 誘電体 不揮発性メモリ 半導体材料
実用化の段階
研究実証販売
コンデンサ用途では顧客企業が試作した製品に材料サンプルを使い特性評価中で、メモリは試作・評価段階と公表されている。
3製品
5提携・顧客
3特許
5出資者
しくみ
解こうとしている課題
従来の不揮発性メモリでは微細化・高密度化に限界があり、コンピュータで消費電力の大きい揮発性メモリを代替する技術も実用化されていない。
どう動くか
籠状のポリオキソメタレート分子の内部には、金属イオンが安定して存在できる位置が複数あります。電場でイオンを別の位置へ移すと分子の分極が切り替わり、位置の違いを情報として保持できます。従来は分子単体では難しいと考えられていた強誘電的なメモリ効果を、室温以上で示す点が特徴です。
できるようになること
メモリやコンデンサに応用できれば、記録の高密度化や低消費電力化、小型化に寄与する可能性がある。広島大学は記録密度向上の可能性を示し、NEDOは揮発性メモリを代替する次世代不揮発性メモリの実用化を目標としている。現時点ではデバイスの試作・評価段階。
技術の出自：広島大学大学院理学研究科・先進理工系科学研究科の化学分野、集積化学研究。JST START「籠型分子を用いた超高密度不揮発性メモリおよび超低消費電力AIチップの開発」。 出典1 出典2 出典3 出典4 出典5
使われる場面
- 不揮発性メモリ
- ディスクリートコンデンサ
- センサ
- 単分子誘電体デバイスの技術供与
- 材料の機能探索支援
優位性の主張
製品・サービス
これまでの歩み 新しい順
2024-07
資金
シード。1.6億円。インキュベイトファンド株式会社、UntroD Capital Japan株式会社、東京応化工業株式会社、株式会社広島ベンチャーキャピタル、株式会社日本政策金融公庫 出典
提携先・顧客
資本提携
インキュベイトファンド株式会社 2024年シード調達の第三者割当増資引受先。 出典
資本提携
UntroD Capital Japan株式会社 2024年シード調達の第三者割当増資引受先。 出典
資本提携
東京応化工業株式会社 2024年シード調達の第三者割当増資引受先。 出典
資本提携
広島ベンチャーキャピタル株式会社 2024年シード調達の第三者割当増資引受先。 出典
特許
分子性金属酸化物クラスター、分子性金属酸化物クラスター結晶、分子メモリ等（JP6650138B2） 国立大学法人広島大学 ／ 登録 出典
Molecular memory and method of manufacturing molecular memory（US12127416B2、JP7295585B2、WO2021044743A1） Material Gate Inc（Google Patents記載の現出願人。原出願人は広島大学） ／ 米国・日本で登録、WO出願は ceased と表示 出典
Piezoelectric material and piezoelectric element（US20250178904A1、WO2023167277A1、JPWO2023167277A1、CN118975437A） Material Gate Inc（Google Patents記載の現出願人。原出願人は広島大学） ／ 出願中 出典
大学との関係
出資者（公開情報で確認できた5社）
事業会社（CVCを含む） 1独立系VC 2銀行・金融機関系 1公的機関・財団 1
会社や出資者の発表から確認した。出資者の種類は、AIが社名から付けたもの。個人の株主は載せていない。＊は、出典のページで社名を機械的に照合できなかったもの。