GaNやSiCの素子と駆動回路を組み合わせ、電力変換を評価する
GaN・SiCなどの次世代パワー半導体を対象に、デバイスの実装、パワーモジュール、ゲート駆動回路、評価までを扱う設計・開発・技術支援。
技術を使った製品・サービス パワー半導体 GaN SiC ワイドバンドギャップ半導体 パワーモジュール ゲートドライブ
実用化の段階
研究実証販売
技術コンサルティング・開発支援を提供中と案内し、共同開発の測定装置は1号機が大分大学に設置済みで外部顧客への提案が公表されている。
3製品
2提携・顧客
0特許
0出資者
しくみ
解こうとしている課題
高出力GaNでは、実装時のわずかな寄生成分やゲート駆動回路がスイッチング挙動に影響するため、素子単体でなくモジュールと駆動回路を組み合わせた設計・評価が課題となる。
どう動くか
パワー半導体は電力の変換や制御を担う。同社は、スイッチングの速いGaNなどをモジュールとゲート駆動回路に組み合わせ、回路設計や熱設計、評価を通じて性能を引き出す。ダブルパルステスターでは2回のパルスを加えた際の電圧・電流波形から、スイッチング損失やサージ電圧を評価する。
できるようになること
同社は、次世代パワー半導体を用いた電力変換の効率向上を目指す。大分県の研究開発枠事業では、GaNを用いて電動バイクの充電時間を6分以下とする急速充電器の開発が掲げられている。
技術の出自：大分大学発ベンチャー。関連分野はパワー半導体・電力変換。大分大学とのGaN急速充電器開発プロジェクトが公表されている。静岡大学、名古屋工業大学との関係は会社資料に役員所属として記載があるが、研究連携の区分は確認できない。 出典1 出典2 出典3 出典4 出典5
使われる場面
- EV・電動モビリティ
- 電動バイク用急速充電器
- 産業機器・モータードライブ
- 電力変換装置・インバータ
- 再生可能エネルギー
優位性の主張
製品・サービス
これまでの歩み 新しい順
提携先・顧客
共同開発
株式会社リードテック GaN対応ダブルパルステスターを共同開発。装置設計・製品化を担当。 出典
実証
国立大学法人大分大学 GaN急速充電器開発の連携先。テスター1号機を設置し研究開発に使用。 出典
特許
公開情報では確認できていない。
会社の規模
公式サイトnxtsemi.com