大学発ベンチャー図鑑
技術分野 ／ 半導体・電子・光・量子 ／ 半導体・電子デバイス

約2,000℃の気相処理でSiCウエハーを改質し、光で評価する

SiCウエハーの加工歪みや結晶欠陥を抑える高温処理技術と、光散乱法で加工状態を非破壊評価する技術。

QureDA Research株式会社　関西学院大学発 ／ 兵庫県 三田市学園上ケ原 ／ 2023年設立
公式サイトqureda-research.com
研究発の技術 炭化ケイ素（SiC） パワー半導体 ウエハー製造プロセス 高温気相処理 表面ナノ制御 光散乱計測
実用化の段階
研究実証販売
技術開発と評価事業を掲げ、トヨタ自動車との量産技術開発契約およびレーザーテックとの評価技術協業を公表しているが、一般販売の実績や価格は確認できなかった。
2製品
4提携・顧客
2特許
3出資者

しくみ

解こうとしている課題

SiCウエハーは硬く脆く、製造時の加工歪みや結晶欠陥が品質・歩留まりを損ねる。品質評価にも複数の測定手法が必要で、製造の安定化やコスト低減が課題。

どう動くか

Dynamic AGE-ing®は、SiCウエハーを約2,000℃領域の気相環境に置き、表面の原子配列を制御する非接触処理。加工歪み層の除去、欠陥を抑えた層の形成、表面平坦化を狙う。評価技術は、ウエハーに光を当てて散乱光を測定し、加工歪みをウエハー全面にわたり非破壊で可視化する。特許出願では、測定値を検査・加工条件・製造ライン制御に用いる方法も記載されている。

できるようになること

会社・大学は、ウエハーの高品質化、生産性向上、安定量産、製造コスト低減を目指す。SiCパワー半導体の普及を通じて、電動車などの電力利用効率向上やカーボンニュートラルへの貢献を掲げている。

技術の出自：関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程、SiC結晶・製造プロセス研究。関西学院大学と豊田通商が構築した産学連携の開発プラットフォームを基盤とする。 出典1 出典2 出典3 出典4 出典5

使われる場面

  • SiCパワー半導体ウエハーの加工・製造
  • ウエハー加工歪みの非破壊検査・品質評価
  • 電動車（EV・HV・FCV）向けパワー半導体
  • 太陽光発電システム、鉄道車両、AIサーバー電源向けSiCパワーデバイス

優位性の主張

会社の主張
Dynamic AGE-ing®の3機能として加工歪み層の除去、BPD/SFフリー成長層、表面平坦化を挙げ、SiCウエハー品質の改善と平坦性制御が可能と説明している（会社の主張）。 出典
会社の主張
独自開発した光散乱法により、ウエハー全面の加工歪みを非破壊で可視化できると説明している（会社の主張）。 出典
大学の発表
大学は、高温加熱でウエハー表面の原子配列を並び替える非接触加工技術を、新たなウエハー製造法として説明している。 出典

製品・サービス

試験導入
Dynamic AGE-ing®によるSiCウエハー改質

高温処理により加工歪み層や欠陥を制御し、SiCウエハーの品質・表面平坦性を改善する技術・改質事業。 出典

SiCウエハー製造企業、パワー半導体関連企業
販売中
SiCウエハー評価・分析サービス

独自の光散乱法などで加工歪みや品質課題を可視化し、原因究明と解決策を提案する評価事業。 出典

SiCウエハー製造企業、パワー半導体関連企業

これまでの歩み 新しい順

2025-03
共同開発
レーザーテック株式会社：SiCウエハー評価技術で協業し、検査技術・システム基盤の構築を目指す。 出典
2025-01
資金調達
3.6億円。豊田通商株式会社 出典
2023-04
顧客
トヨタ自動車株式会社：SiCウエハーの量産技術開発に関する業務委託契約を締結。 出典
2023-03
資金調達
設立時出資。3.25億円。株式会社KGVC 出典
2023-03
共同開発
関西学院大学：SiCウエハー技術の研究開発と社会実装を連携。大学発技術を事業化する共同基盤。 出典
2023-03
共同開発
豊田通商株式会社：関西学院大学とともに会社を設立し、開発連携と事業化・バリューチェーン構築を支援。 出典

提携先・顧客

共同開発
関西学院大学　SiCウエハー技術の研究開発と社会実装を連携。大学発技術を事業化する共同基盤。 出典
共同開発
豊田通商株式会社　関西学院大学とともに会社を設立し、開発連携と事業化・バリューチェーン構築を支援。 出典
顧客
トヨタ自動車株式会社　SiCウエハーの量産技術開発に関する業務委託契約を締結。 出典
共同開発
レーザーテック株式会社　SiCウエハー評価技術で協業し、検査技術・システム基盤の構築を目指す。 出典

特許

2 件 出典
Google PatentsでQureDA Research名義を検索し、関連する関西学院大学・豊田通商のSiC製造特許を追加確認。今回記載した関連特許は2件で、全件網羅を保証しない。
主な分野SiC基板・ウエハーの製造および表面処理、光散乱計測による半導体基板の検査・加工評価、測定結果に基づく製造ライン制御
共同出願人学校法人関西学院、豊田通商株式会社
海外出願True
WO2026071134A1 — 半導体基板製造ライン、製造方法、検査方法、加工方法および加工評価方法（PCT/JP2025/034285）　QureDA Research株式会社、豊田通商株式会社、学校法人関西学院 ／ 公開・審査中（Google Patents表示はPending） 出典
WO2021025085A1 — SiC基板、SiCエピタキシャル基板、SiCインゴット及びこれらの製造方法　豊田通商株式会社、学校法人関西学院 ／ 公開済み。対応する各国出願・登録あり。 出典

会社の規模

従業員20名（2026-03-31時点） 出典
資本金4.9億円（2026-03-31時点） 出典
大学との関係研究成果ベンチャー
公式サイトqureda-research.com
決算期売上高純利益純資産総資産
2024-03-31—-3.65億円2.77億円7.46億円 出典（Gビズインフォ）

決算公告など、公表された数字だけ。

大学との関係

大学の出資
関西学院大学（学校法人関西学院）　会社概要に学校法人関西学院の出資比率28%と記載。 出典
ライセンス
関西学院大学　大学が創出したDynamic AGE-ing®技術について、QureDA Researchが独占的な使用権を有すると発表。 出典

出資者（公開情報で確認できた3社）

豊田通商株式会社学校法人関西学院株式会社KGVC
事業会社（CVCを含む） 1大学系（大学VC・大学） 2

会社や出資者の発表から確認した。出資者の種類は、AIが社名から付けたもの。個人の株主は載せていない。＊は、出典のページで社名を機械的に照合できなかったもの。

調査日：2026-10-03
このページの出典：14件
法人番号：8140001129511
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