素子のそばで微弱な雑音を増幅し、半導体の雑音を広帯域で測る
半導体素子の低周波から高周波までの雑音を広帯域で測るプローブ技術。製品Entrope®は100 kHz〜200 MHzに対応する。
株式会社デバイスラボ 筑波大学発 ／ 茨城県 つくば市 ／ 2017年設立
研究発の技術 半導体計測 雑音計測 高周波計測 低雑音アンプ デバイスモデリング 極低温エレクトロニクス
実用化の段階
研究実証販売
会社はEntrope®を商用製品として掲載し、筑波大学発ベンチャーの公的マッチングサイトも製造販売中と案内している一方、極低温システムは研究開発段階。
3製品
4提携・顧客
0特許
0出資者
しくみ
解こうとしている課題
半導体素子の雑音特性を広い周波数帯や極低温環境で捉えにくく、精密な素子モデルや低雑音回路の設計に必要な測定データが不足する課題。
どう動くか
測定対象の素子の近くに低雑音アンプを配置して微弱な雑音を増幅し、校正によってアンプ由来の雑音と測定対象由来の雑音を分ける。これにより、従来は測定が難しかった周波数帯を含め、低周波の1/f雑音から高周波の白色雑音までを評価できる。公式仕様の測定帯域は100 kHz〜200 MHz。
できるようになること
雑音特性を含む素子モデルを回路設計に反映することで、設計余裕の適正化や高性能ICの開発に役立つ。極低温まで測定できれば、量子ビット制御用の電子回路開発を支援し、量子コンピュータの実用化に貢献すると公的機関は説明している。
技術の出自：筑波大学 数理物質系・物理工学域の半導体素子の雑音・揺らぎ・ばらつき研究。JST-CRESTプロジェクトを通じて中核技術を開発。 出典1 出典2 出典3 出典4 出典5
使われる場面
- 半導体素子の雑音特性評価とデバイスモデリング
- 半導体IC・低雑音回路の設計
- 量子コンピュータ制御用クライオエレクトロニクスの研究開発
- ReRAMなど電子デバイスの研究開発
優位性の主張
会社の主張
会社はEntrope®を「特許取得済み」の高周波雑音プローブと表示。製品仕様は101Aが100 kHz〜200 MHz、10 MHzで雑音床約3×10^-23 A²/Hz、102Aが同帯域で約5×10^-23 A²/Hz。 出典
大学の発表
筑波大学の発表では、低雑音アンプを搭載したプローブにより、既存機器では測定できなかった周波数帯の雑音を簡便に測定できると説明している。 出典
会社の主張
同社の2021年会議論文は、Entrope®の改良版を商用提供中と記載し、室温測定の実証では最大800 MHz、極低温環境の試験では300〜120 Kでの白色雑音計測を報告。条件の異なる試験値であり、現行製品の公式仕様とは区別が必要。 出典
製品・サービス
これまでの歩み 新しい順
2025-01
助成
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業「量子コンピュータの産業化に向けた開発の加速（クライオ電子回路システムの開発）」」 出典
2022-01
助成
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）「SBIR推進プログラム フェーズ1「大規模量子ビット制御に向けた極低温環境下での広帯域雑音計測技術開発」」 出典（Gビズインフォ）
提携先・顧客
特許
公開情報では確認できていない。
会社の規模
大学との関係
大学の認定
筑波大学 筑波大学発ベンチャーとして承認された。 出典